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Cientistas nos EUA quebram recorde de velocidade em transistores

Com freqüência de 845 gigaherz, o novo dispositivo é 50% mais veloz que o recordista anterior e se aproxima da marca do terahertz

Por Redação do IDG Now!*

13/12/2006 às 10h59

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Com freqüência de 845 gigaherz, o novo dispositivo é 50% mais veloz que o recordista anterior e se aproxima da marca do terahertz

Por essa John Bardeen, William Shockley e Walter Brattain, que inventaram o transistor em 1947, quando trabalhavam nos famosos Laboratórios Bell, não podiam esperar.

Cientistas da Universidade de Illinois em Urbana-Champaign, nos Estados Unidos, acabam de quebrar o recorde de velocidade para um transistor de maneira surpreendente.

Com uma freqüência de 845 gigaherz, o novo dispositivo fez o até então recordista comer poeira, sendo mais de 50% mais veloz. Feito de fosfito de índio e de arseneto de gálio e índio – os transistores tradicionais são de silício ou germânio –, o novo dispositivo se aproxima da marca do terahertz, o “cálice sagrado” que vem sendo buscado por diversos centros de pesquisa na área no mundo.

O novo transistor será apresentado nesta quarta-feira (13/12), na reunião da International Electronics Device, em São Francisco.

“A composição utilizada permite um aumento na velocidade dos elétrons e reduz tanto a densidade da corrente quanto o tempo de carregamento dos sinais elétricos”, explica Milton Feng, professor de Engenharia Elétrica e de Computação e um dos responsáveis pela montagem do novo transistor.

Com o dispositivo, o grupo de Feng atinge uma nova escala de operação. Transistores mais rápidos implicam em computadores mais rápidos, podem resultar em sistemas de comunicação sem fio mais seguros e na mais variada gama de sistemas eletrônicos com eficiência superior a dos atuais.

Para construir o transistor de 845 gigahertz, os pesquisadores tiveram que refinar o processo de montagem, de modo a poder contar com componentes de dimensões mais reduzidas do que os tradicionais. Um exemplo está na base do transistor, que tem apenas 12,5 nanômetros (bilionésimos de metro) de espessura.

“Com a diminuição da distância que os elétrons têm que percorrer, a conseqüência direta é o aumento na velocidade do transistor”, disse William Snodgrass, outro dos pesquisadores da Universidade de Illinois que participou da conquista do novo recorde de velocidade.

*Com informações da Agência Fapesp.

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