Home > Notícias

Intel e Numonyx avançam nas pesquisas de novo padrão de memória

Descoberta abre o caminho para produtos escaláveis e com maior densidade para a tecnologia chamada de memória de mudança de fase.

René Ribeiro, da PC WORLD

28/10/2009 às 15h45

Foto:

A Intel e a Numonyx anunciaram hoje uma inovação na pesquisa de Memória de Mudança de Fase (PCM, na sigla em inglês), uma nova tecnologia de memória não-volátil que combina benefícios dos vários tipos de memória atualmente existentes.

Pela primeira vez os pesquisadores produziram uma tecnologia que oferece a possibilidade de empilhar ou utilizar múltiplas camadas de PCM dentro de uma única matriz. Esse desenvolvimento abre o caminho para a criação de dispositivos de memória de alta velocidade com maior capacidade, menor consumo de energia e otimização de espaço para Memória de Acesso Randômico (RAM) e dispositivos de armazenamento.

Os avanços são resultados do atual programa de pesquisa em conjunto entre Numonyx e Intel e que tem priorizado a exploração de conjuntos de células PCM. A Numonyx projeta e fabrica suplementos de tecnologias e produtos de memória não volátil tipos NOR, NAND, RAM e de mudança de fase para atender às necessidades nos mercados integrados, de dados e celular.

A capacidade de empilhar conjuntos de PCM fornece suporte para maiores densidades de memória, um desafio cada vez mais difícil de superar com as tecnologias de memória tradicionais.

As células de memória são criadas com o empilhamento de um elemento de armazenamento e um seletor, com inúmeras células criando conjuntos de memória. Conjuntos anteriores com a PCM como o elemento de armazenamento foram revelados, mas utilizando seletores diferentes.

Isso criou inúmeras limitações ao tamanho e a eficiência do conjunto. No entanto, os pesquisadores da Intel e Numonyx implementaram em uma camada fina, dois terminais como seletor, igualando as propriedades físicas e elétricas para que a PCM pudesse continuar com evoluções de maneira escalável, sem necessidade de mudar a arquitetura de hardware.

Uma vez integradas, juntas e embarcadas, conjuntos em camadas são combinados com circuitos para funções de decodificação e lógica, bem como para uso em sensores. As principais capacidades da tecnologia demonstram uma velocidade de reinicialização de nove nanosegundos, duração de 1 milhão de ciclos, bem como uma variação dinâmica de 1 volt entre o conjunto de células e o modo de reinicialização. Essa velocidade seria cerca de 500 vezes superior às memórias padrão NAND convencionais.

Os experimentos e resultados serão publicados em um estudo, que será apresentado em dezembro, durante o Encontro de Dispositivos Eletrônicos Internacionais de 2009 em Baltimore, Estados Unidos.

Tags

Junte-se a nós e receba nossas melhores histórias de tecnologia. Newsletter por e-mail Newsletter por e-mail