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Intel “reinventa os transistores” usando estrutura em 3D

Usados em chips de 22 nanômetros, componentes tem combinação "sem precedentes" de ganho de desempenho e economia de energia

Rafael Rigues

04/05/2011 às 13h29

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A Intel anunciou nesta quarta-feira o que considera um avanço significativo na evolução do transistor, o componente que há mais de 50 anos é a pedra-fundamental da indústria eletrônica. A empresa irá iniciar a produção em larga escala de chips baseados em um transistor com design "tridimensional", que possibilita melhor desempenho e menor consumo de energia quando comparado aos transistores "planos" atuais.

O design foi batizado pela empresa de "Tri-Gate", e originalmente apresentado em 2002. Produzidos em um processo de 22 nanômetros, os novos componentes tem desempenho 37 por cento superior aos componentes de 32 nm utilizados atualmente em processadores como os da família "Sandy Bridge" quando operando em baixa voltagem. Quando operando no mesmo nível de desempenho dos transistores atuais, os "Tri-Gate" tem consumo de energia até 50% menor.

Transistores operam como interruptores: o fluxo da corrente elétrica é controlado por uma parte chamada Gate (comporta), que permite ou não a passagem de energia em um canal entre a fonte (Source) e o dreno (Drain). O design Tri-Gate substitui o canal plano e um único Gate sobre ele por uma fina lâmina de silício que se projeta acima do substrato do transistor, envolta por três Gates (dois nos lados, um no topo). O controle extra permite fluxo máximo de corrente quando o transistor está "ligado" (o que ajuda o desempenho), e o mínimo possível quando desligado (reduzindo o desperdício de energia), além de permitir que o componente alterne rapidamente entre os dois estados.

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Esta ilustração compara um transistor plano (esquerda) a um Tri-Gate (direita)

A próxima geração de processadores Intel, de codinome "Ivy Bridge", será a primeira a utilizar os novos transistores Tri-Gate. A Intel demonstrou hoje notebooks, desktops e servidores operando com processadores "Ivy Bridge", que devem entrar em produção em larga escala no final deste ano. Graças à tecnologia Tri-Gate a empresa espera produzir chips com transistores em processo de 14 nanômetros em 2013, e 10 nanômetros em 2015.

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