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Samsung sai na frente e lança chips de memória DDR3 com 30 nanômetros

Tecnologia oferece menor consumo de energia com mais eficiência na produtividade. Empresa informa será capaz de produzir em massa a partir de junho desse ano.

Dan Nystedt, do IDG News Service

01/02/2010 às 18h01

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A Samsung Electronics informou nesta segunda-feira (1/2) que os chips de memória DRAM (Dinamic Random Accessy Memory) padrão DDR3 construídos com tecnologia de 30 nm (nanômetros) foram qualificados por fabricantes e estão prontos para serem usados em produtos finais.  O  nanômetro é a bilionésima parte de um metro, aproximadamente o tamanho de alguns átomos combinados.

Módulos de 2 GB DDR3 (Double Data Rate, de terceira geração), construídos com tamanho de 30 nm, consomem 30% menos energia do que os chips atuais de 50 nm. Os módulos estão disponíveis para desktops, notebooks e servidores, e consomem entre 1,35 volt e 1,5 volt.

Segundo o DRAMeXchange Technology, grupo que realiza pesquisas e consultoria no
mercado de componentes eletrônicos, é muito provável que o padrão DDR3 ocupe o espaço de seu antecessor, o DDR2, ainda no primeiro trimes de 2010 devido ao seu baixo consumo de energia e maior velocidade de acesso aos dados.

O uso da tecnologia de construção de chips com 30 nm coloca a Samsung à frente de seus rivais. A empresa informou que os novos módulos de memória estarão em produção em massa a partir do segundo semestre deste ano e planeja expandir o uso da nova tecnologia para a maioria das linhas de produção de chips de memória até o final de 2010.

Uma das poucas empresas à frente da Samsung, a IM Flash Technologies, uma joint venture entre a Intel e a Micron Technology, está usando a tecnologia de 25 nm para fabricar chips de memória flash. A empresa não fabrica DRAM.

O desenvolvimento da tecnologia de fabricação de chips menores é fundamental para o atendimento da demanda do usuário para dispositivos pequenos que podem executar muitas funções, tais como smartphones, que possuem câmera, player de música e filmes, além do telefone.

A tecnologia de construção em 30 nm aumenta a produtividade em 60% em relação a técnica anterior de 40 nm do padrão DDR3, segundo informa a  Samsung. O custo dos módulos de memória DDR3 de 30 nm será mais elevado, porque primeiro é preciso recuperar os investimentos necessários para implantar a tecnologia.

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